Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
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Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Ciao Roberto
Per me va bene
Lasciamo il post iniziale, quello che ha aperto il thread ed in calce al suo testo aggiungiamo la parte definitiva della documentazione ed un avviso che chi volesse può trovare tutto lo sviluppo nei post successivi
Franco
Per me va bene
Lasciamo il post iniziale, quello che ha aperto il thread ed in calce al suo testo aggiungiamo la parte definitiva della documentazione ed un avviso che chi volesse può trovare tutto lo sviluppo nei post successivi
Franco
Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Ottimo.
Schemi, layout, qualche foto e qualche sample.
Schemi, layout, qualche foto e qualche sample.
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Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Adesso diamo a Domenico
(che so è piuttosto impegnato)
di fare le sue considerazioni (test e quello che gli serve fare) sul nuovo input a FET e poi rivedere il layout di quella parte di circuito per pubblicare una versione definitiva
Per i sample pare che Domenico abbia contattato un chitarrista di ottimo livello, speriamo abbia tempo per farli
Franco
(che so è piuttosto impegnato)
di fare le sue considerazioni (test e quello che gli serve fare) sul nuovo input a FET e poi rivedere il layout di quella parte di circuito per pubblicare una versione definitiva
Per i sample pare che Domenico abbia contattato un chitarrista di ottimo livello, speriamo abbia tempo per farli
Franco
Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Gli devo mandare il circuito aggiornato per il FET, visto che è stata tolta l'alimentazione negativa.
Senza modificare alcuni parametri lavorerà male.
Senza modificare alcuni parametri lavorerà male.
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Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Ah, si, la negativa pare anche a me che sia stata tolta
Franco
Franco
Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Ciao ragazzi.
Sono d'accordo con voi sulla "modifica" del thread .
Farebbe molto più comodo a chi inizia a leggere e a provare avere dei risultati concreti e non prove di simulazioni e schemi di prototipo.
Robi, in effetti, il fet non mi convince molto suonandolo. C'è qualcosa che stona. Ma aspettavo il weekend per dirvi meglio le mie impressioni.
...purtroppo, ricominciare a lavorare con una nuova ditta ha i suoi pro e contro. Ma almeno ora non sono più "modello pronto soccorso".
Cmq sia, mandami pure le modifiche opportune che ritieni necessarie. Vedo che posso fare.
Sono d'accordo con voi sulla "modifica" del thread .
Farebbe molto più comodo a chi inizia a leggere e a provare avere dei risultati concreti e non prove di simulazioni e schemi di prototipo.
Robi, in effetti, il fet non mi convince molto suonandolo. C'è qualcosa che stona. Ma aspettavo il weekend per dirvi meglio le mie impressioni.
...purtroppo, ricominciare a lavorare con una nuova ditta ha i suoi pro e contro. Ma almeno ora non sono più "modello pronto soccorso".
Cmq sia, mandami pure le modifiche opportune che ritieni necessarie. Vedo che posso fare.
Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
...per i samples e il bravo chitarrista, conto di mettere il TRUMBLE in seduta statica su un cabinet provvisorio che era dedicato a tutt"altro ( soldano SLO MOD ).
Perché non posso portarglielo senza cabinet!
Appena potrò essere sicuro del risultato finale anche del fet, vedo di organizzarmi con lui a riguardo.
Perché non posso portarglielo senza cabinet!
Appena potrò essere sicuro del risultato finale anche del fet, vedo di organizzarmi con lui a riguardo.
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Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Ciao Domenico
Prenditi il tempo che ti serve, con calma
Franco
Prenditi il tempo che ti serve, con calma
Franco
Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Con alimentazione massa-positivo, io punterei ad un super hard on.
Semplice, non pulito, molto diverso da una regolazione all'altra.
Semplice, non pulito, molto diverso da una regolazione all'altra.
Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
...tipo onda quadra in ingresso? Un segnale che sia già semidistorto ?
Cosa intendi di preciso con "super hard on"?
Cosa intendi di preciso con "super hard on"?
Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Ok. Vogliamo provare a vedere come viene una cosa di questo tipo?
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Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Non saprei che rispondere
è un ambito che non conosco
decidete voi su cosa sia meglio
Io mi fido ciecamente
Franco
è un ambito che non conosco
decidete voi su cosa sia meglio
Io mi fido ciecamente
Franco
Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Ciao,
secondo me puoi provare esternamente e poi se ti garba includerlo internamente.
Per non fare troppo lavoro nel caso non ti piaccia.
secondo me puoi provare esternamente e poi se ti garba includerlo internamente.
Per non fare troppo lavoro nel caso non ti piaccia.
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Re: Dumble-Style SE con GU50: Loop Bilanciato e Finale ad Alta Dinamica
Domenico hai questi ?
https://www.mouser.com/datasheet/2/676/ ... 649057.pdf
----
.MODEL J2N4416A NJF
+ Beta=989.4u
+ Betatce=-.5
+ Rd=1 Rs=1
+ Lambda=5.5m
+ Vto=-3.06
+ Vtotc=-2.5m
+ Is=33.57f
+ Isr=322.4f
+ Alpha=311.7
+ Vk=243.6
+ Cgd=1.6p
+ Cgs=2.414p
+ Kf=7.445E-18
+ Af=1
----
https://www.interfet.com/jfet-datasheet ... terfet.pdf
----
NATIONAL SEMICONDUCTOR / 2N4416A
JFET N-CHANNEL – TO-72
DATI ELETTRICI
1. IDSS (VDS = 10 V, VGS = 0 V)
Min: 5 mA
Max: 15 mA
Tipico: circa 10 mA
2. gfs (forward transconductance)
Min: 4,5 mS
Max: 7,5 mS
3. VGS(off)
Min: −2,5 V
Max: −6 V
4. rDS(on)
Max: 150 Ω
(specificato a ID = 1 mA, VGS = 0 V)
5. Ciss
Max: 4 pF
6. Crss
Max: 0,8 pF
7. Noise Figure (NF)
Max: 4 dB
f = 400 MHz
RG = 1 kΩ
Valore tipico riportato da Vishay/Siliconix:
circa 3 dB @ 400 MHz
8. Common-Source Power Gain (Gps)
f = 400 MHz
VDS = 15 V
ID = 5 mA
Min: 10 dB
Valore tipico riportato:
circa 13 dB @ 400 MHz
DATI AGGIUNTIVI IMPORTANTI
9. VDS / V(BR)DSS
35 V
10. V(BR)GSS
35 V
11. Gate leakage current
Max: 100 pA
12. Package
TO-72
JEDEC: TO-206AF / Case 251
NOTA
Il 2N4416A appartiene alla famiglia dei JFET
N-channel ad alta frequenza / basso rumore.
I valori di:
- IDSS = 1–20 mA
- gfs = 5,5–7,0 mS
- rDS(on) = 100–500 Ω
- VGS(off) tipico = −3,5 V
che compaiono in alcune tabelle sono riferiti al
PROCESS 50 / caratteristiche generali del processo
National Semiconductor e NON devono essere considerati
come i limiti specifici del 2N4416A.
NATIONAL SEMICONDUCTOR / 2N4416A
JFET N-CHANNEL – TO-72
DATI ELETTRICI
1. IDSS (VDS = 10 V, VGS = 0 V)
Min: 5 mA
Max: 15 mA
Tipico: circa 10 mA
2. gfs (forward transconductance)
Min: 4,5 mS
Max: 7,5 mS
3. VGS(off)
Min: −2,5 V
Max: −6 V
4. rDS(on)
Max: 150 Ω
(specificato a ID = 1 mA, VGS = 0 V)
5. Ciss
Max: 4 pF
6. Crss
Max: 0,8 pF
7. Noise Figure (NF)
Max: 4 dB
f = 400 MHz
RG = 1 kΩ
Valore tipico riportato da Vishay/Siliconix:
circa 3 dB @ 400 MHz
8. Common-Source Power Gain (Gps)
f = 400 MHz
VDS = 15 V
ID = 5 mA
Min: 10 dB
Valore tipico riportato:
circa 13 dB @ 400 MHz
DATI AGGIUNTIVI IMPORTANTI
9. VDS / V(BR)DSS
35 V
10. V(BR)GSS
35 V
11. Gate leakage current
Max: 100 pA
12. Package
TO-72
JEDEC: TO-206AF / Case 251
NOTA
Il 2N4416A appartiene alla famiglia dei JFET
N-channel ad alta frequenza / basso rumore.
I valori di:
- IDSS = 1–20 mA
- gfs = 5,5–7,0 mS
- rDS(on) = 100–500 Ω
- VGS(off) tipico = −3,5 V
che compaiono in alcune tabelle sono riferiti al
PROCESS 50 / caratteristiche generali del processo
National Semiconductor e NON devono essere considerati
come i limiti specifici del 2N4416A.
Per il 2N4416A è quindi preferibile usare:
IDSS 5–15 mA
gfs 4,5–7,5 mS
VGS(off) −2,5…−6 V
rDS(on) ≤150 Ω
Ciss ≤4 pF
Crss ≤0,8 pF
NF ≤4 dB @ 400 MHz
Gps ≥10 dB @ 400 MHz
Franco
https://www.mouser.com/datasheet/2/676/ ... 649057.pdf
----
.MODEL J2N4416A NJF
+ Beta=989.4u
+ Betatce=-.5
+ Rd=1 Rs=1
+ Lambda=5.5m
+ Vto=-3.06
+ Vtotc=-2.5m
+ Is=33.57f
+ Isr=322.4f
+ Alpha=311.7
+ Vk=243.6
+ Cgd=1.6p
+ Cgs=2.414p
+ Kf=7.445E-18
+ Af=1
----
https://www.interfet.com/jfet-datasheet ... terfet.pdf
----
NATIONAL SEMICONDUCTOR / 2N4416A
JFET N-CHANNEL – TO-72
DATI ELETTRICI
1. IDSS (VDS = 10 V, VGS = 0 V)
Min: 5 mA
Max: 15 mA
Tipico: circa 10 mA
2. gfs (forward transconductance)
Min: 4,5 mS
Max: 7,5 mS
3. VGS(off)
Min: −2,5 V
Max: −6 V
4. rDS(on)
Max: 150 Ω
(specificato a ID = 1 mA, VGS = 0 V)
5. Ciss
Max: 4 pF
6. Crss
Max: 0,8 pF
7. Noise Figure (NF)
Max: 4 dB
f = 400 MHz
RG = 1 kΩ
Valore tipico riportato da Vishay/Siliconix:
circa 3 dB @ 400 MHz
8. Common-Source Power Gain (Gps)
f = 400 MHz
VDS = 15 V
ID = 5 mA
Min: 10 dB
Valore tipico riportato:
circa 13 dB @ 400 MHz
DATI AGGIUNTIVI IMPORTANTI
9. VDS / V(BR)DSS
35 V
10. V(BR)GSS
35 V
11. Gate leakage current
Max: 100 pA
12. Package
TO-72
JEDEC: TO-206AF / Case 251
NOTA
Il 2N4416A appartiene alla famiglia dei JFET
N-channel ad alta frequenza / basso rumore.
I valori di:
- IDSS = 1–20 mA
- gfs = 5,5–7,0 mS
- rDS(on) = 100–500 Ω
- VGS(off) tipico = −3,5 V
che compaiono in alcune tabelle sono riferiti al
PROCESS 50 / caratteristiche generali del processo
National Semiconductor e NON devono essere considerati
come i limiti specifici del 2N4416A.
NATIONAL SEMICONDUCTOR / 2N4416A
JFET N-CHANNEL – TO-72
DATI ELETTRICI
1. IDSS (VDS = 10 V, VGS = 0 V)
Min: 5 mA
Max: 15 mA
Tipico: circa 10 mA
2. gfs (forward transconductance)
Min: 4,5 mS
Max: 7,5 mS
3. VGS(off)
Min: −2,5 V
Max: −6 V
4. rDS(on)
Max: 150 Ω
(specificato a ID = 1 mA, VGS = 0 V)
5. Ciss
Max: 4 pF
6. Crss
Max: 0,8 pF
7. Noise Figure (NF)
Max: 4 dB
f = 400 MHz
RG = 1 kΩ
Valore tipico riportato da Vishay/Siliconix:
circa 3 dB @ 400 MHz
8. Common-Source Power Gain (Gps)
f = 400 MHz
VDS = 15 V
ID = 5 mA
Min: 10 dB
Valore tipico riportato:
circa 13 dB @ 400 MHz
DATI AGGIUNTIVI IMPORTANTI
9. VDS / V(BR)DSS
35 V
10. V(BR)GSS
35 V
11. Gate leakage current
Max: 100 pA
12. Package
TO-72
JEDEC: TO-206AF / Case 251
NOTA
Il 2N4416A appartiene alla famiglia dei JFET
N-channel ad alta frequenza / basso rumore.
I valori di:
- IDSS = 1–20 mA
- gfs = 5,5–7,0 mS
- rDS(on) = 100–500 Ω
- VGS(off) tipico = −3,5 V
che compaiono in alcune tabelle sono riferiti al
PROCESS 50 / caratteristiche generali del processo
National Semiconductor e NON devono essere considerati
come i limiti specifici del 2N4416A.
Per il 2N4416A è quindi preferibile usare:
IDSS 5–15 mA
gfs 4,5–7,5 mS
VGS(off) −2,5…−6 V
rDS(on) ≤150 Ω
Ciss ≤4 pF
Crss ≤0,8 pF
NF ≤4 dB @ 400 MHz
Gps ≥10 dB @ 400 MHz
Franco

